EUV-Technologie

Am Fraunhofer ILT werden kompakte plasmabasierte Quellen entwickelt, die intensive, kurzwellige Strahlung im Extremen Ultraviolett oder im weichen Röntgenbereich emittieren. Die Strahlung mit Wellenlängen im Bereich zwischen 2 nm und 50 nm wird üblicherweise in Gasentladungen oder durch Beschuss eines Targets mit einem gepulsten Laser erzeugt.

Die entwickelten Strahlungsquellen und entsprechende optische Systeme können z. B. für die Charakterisierung von Optiken, Kontaminationsstudien oder für die Entwicklung von neuen Fotolacken eingesetzt werden. Darüber hinaus lassen sich ultradünne Membranen, Vielschichtsysteme mit Einzelschichtdicken von unter 1 nm und periodische Gitterstrukturen mit EUV-Laserstrahlung hinsichtlich ihrer Geometrie bis in den Subnanometer-Bereich charakterisieren. Auch Stöchiometrie-Analysen von Membranproben und Vielschichtsystemen sind möglich.

Forschungsschwerpunkte sind u. a. die laserinduzierte Anregung von Plasmen für die spektroskopische Analyse von Materialien und für die Behandlung von Oberflächen. An Bedeutung gewinnt insbesondere die Bereitstellung von Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm für die Chipfertigung in der Halbleiterindustrie.

Das Leistungsangebot umfasst Machbarkeitsstudien, die Entwicklung von applikationsangepassten Strahlungsquellen, Optiken und Verfahren, die Integration in bestehende Anlagen sowie individuelle Beratung. Darüber hinaus bietet das Fraunhofer ILT Forschungs- und Entwicklungsdienstleistungen auf dem Gebiet der EUV-Technologie an, bei denen wir nicht nur umfangreiches Know-how bündeln, sondern auch auf ein einzigartiges Inventar zurückgreifen können.

Plasmabasierte EUV-Strahlquellen

• Strahlquellen für die EUV-Lithografie
• Strahlquellen für die Röntgenmikroskopie
• Leistungselektronik
• Generatoren für hohe gepulste Ströme, schnelle Datenerfassung und Regelung gepulster Strahlungsquellen

Plasmaerzeugung und Diagnostik

• Gasentladungs- und laserinduzierte Plasmen
• Spektroskopie vom weichen Röntgen- bis IR-Bereich
• Bestimmung von Strahlungsflüssen
• Bestimmung von Plasmaparametern
• Hochgeschwindigkeitsfotografie
• Modellierung von Plasmen

Systemlösungen

• Auslegung optischer Systeme für EUV-Applikationen
• Optiksimulation
• Integration von Plasmastrahlungsquellen
• Realisierung von Gesamtsystemen

Applikationen mit EUV-Strahlung

• Röntgenmikroskopie
• EUV-Mikroskopie für die Maskeninspektion
• EUV-Reflektometrie, Analyse von Oberflächen und Schichtsystemen
• Nanostrukturierung mit Interferenzlithografie

Brose, S., Danylyuk, S., Lüttgenau, B., Gisch, I., Lohmann, L., Stollenwerk, J., Holly, C.:
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